两者之间的核心区别在与，908的工艺是09微米，909则是05微米。
035微米的晶圆厂的造价，在国际上，已经上升到10亿美元级别了。035微米，在国际上的批量的普及，是在95年之后的事情，entiu854，第一批量产的芯片。
当然，这里还有些其他区别，例如产量，晶圆尺寸等。
如果晶圆工艺这么容易的话，那个破光刻机也就没有必要牵动这么多人的心了。
两个人很快就自己吵了起来。
“永兴，你是啥意见你不是把我俩叫来，看吵架的吧。”
“你们说的都对，又都不对。”
“怎么讲”
“晶圆厂要上，但也要考虑现实情况，空喊口号是没有用的。我们毕竟没有积累。
但同时，我们的目标也要实现，钱不能白花如果只是上2微米的晶圆厂，根本没有意义。”
“咦你这是啥意思两面的话都让你说全了”
两位老乡同学，都觉得自己的耳朵出了问题。
“这次我准备，用2微米的半导体设备及工艺，来生产1微米的芯片”
“这怎么可能”
“我就知道你脑袋里肯定有东西。”
两个不同性格的人，在沉思片刻后，发出了完全不同的感叹。
“你不是在开玩笑吧。如果真有这种技术，为什么全球这么多企业每年投入这么金钱，去改进他们的工艺流程，提高生产设备的精度908工程是在干什么”
叶静生性比较保守，看事情更多的是看风险。
“这个技术是有的。这也是为什么这个工程被叫做一号工程的缘故。它的保密级别甚至高于液晶的odf工艺。”
“好吧，你说吧。我们准备好了。”
这已经不是第一次了，成永兴召集两人商量一些高度机密性的科技信息。
经过s，ed，以及cd的不断洗礼，两个人对晶圆工艺已经不陌生了。
在后世，人们一提起半导体设备，被津津乐道的，就是光刻机。大家普遍认为，光刻机是中国在半导体工艺上落后的唯一瓶颈。
这句话对，也不对。
对，是因为，中国在半导体工艺领域，被甩得最远的代表设备就是光刻机。
其他设备，例如蚀刻设备等，它们与国际先进水平，即使有些差距，差距也没有这么大，甚至某些设备，国产设备已经开始反攻国际市场。
光刻机决定半导体制程的情况，仅仅是出现在2005年之后。这就是地球人都知道的，as在浸入式光刻机上，打了场翻身仗，一举把日本的几家竞争对手掀翻在地，从而奠定了在光刻机市场的垄断地位。
但实际上，在2005年的前后，决定半导体芯片制程的几个核心技术，都不是光刻机。因为此时，光波的波长，还没有撞到极限193 n
中国已经有了15微米的光刻机，但是其他辅助工艺，达不到这么高的精度。
几十年来，对光刻设备的要求主要基于摩尔定律，通过减小波长和增大数值孔径na来获得更高分辨率。
但是激光的可用波长就那么几个，激光波长减少几次，就无以为继了。
2004年开始，光刻机就开始使用193n无法进步长达十几年。
哪怕采用了沉浸式光刻机，也仅仅是使晶圆工艺成功突破了几个节点。
过了一段时间，半导体工艺的工艺演进路线，再次遇到了类似的问题。后世的14n，的技术突破。都不是通过升级光刻